[发明专利]半导体元件的结构与制造方法有效
| 申请号： | 200510131717.0 | 申请日： | 2005-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1815754A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 陈立哲 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高压元件的制造方法，包括先于基底中形成第一导电类型掺杂区，再于基底中形成至少二个第二导电类型掺杂区。二个第二导电类型掺杂区分别设置于第一导电类型掺杂区两侧的基底中。第一导电类型掺杂区与此二个第二导电类型掺杂区之间分别设置有一个隔离区。之后，于二个第二导电类型掺杂区之间的基底上形成一个栅极结构。接着，于栅极结构两侧的基底中形成第二导电类型源极区/漏极区。藉由适当设定第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区间的距离，使高压元件可以满足不同的高击穿电压的需求。此制造方法可以与低压元件的制造整合在一起，而可以降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压元件的制造方法，包括：提供一基底；于该基底中形成一第一导电类型掺杂区；于该基底中形成至少二第二导电类型掺杂区，其中该二第二导电类型掺杂区设置于该第一导电类型掺杂区两侧的该基底中，且该第一导电类型掺杂区与该二第二导电类型掺杂区之间分别设置有一隔离区；于该二第二导电类型掺杂区之间的基底上形成一栅极结构；以及于该栅极结构两侧的该基底中形成一第二导电类型源极区/漏极区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510131717.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：卫生间用固体清洗剂
- 下一篇：用以产生输出时钟信号的时钟产生电路及方法
- 同类专利
- 专利分类
