[发明专利]半导体激光器件和设置有其的光信息记录设备有效

专利信息
申请号: 200510131728.9 申请日: 2005-12-16
公开(公告)号: CN1790844A 公开(公告)日: 2006-06-21
发明(设计)人: 山崎幸生 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00;H01S5/22;H01S5/32;G11B7/125
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体激光器件,其通过大大减小在垂直方向的FFP形状与高斯形之间的差异量而提供到拾取光学系统的高的耦合效率,并能通过减小所需的工作功率而以低成本制造。该半导体激光器件设置有按此顺序层叠的负电极、GaN衬底、第一n型覆层、n型光遮挡层、第一载流子停止层、有源层、第二载流子停止层、p型光波导层、p型覆层、p型接触层和正电极。
搜索关键词: 半导体激光器 设置 信息 记录 设备
【主权项】:
1.一种半导体激光器件,包括:光遮挡层;第一导电类型覆层;有源层;和第二导电类型覆层,按此顺序从衬底侧层叠。
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