[发明专利]多晶硅薄膜的制作方法有效
| 申请号： | 200510131794.6 | 申请日： | 2005-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1983521A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 陈昱丞;林家兴;陈宏泽 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268;H01L21/00;B23K26/00;C30B30/00 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多晶硅薄膜的制作方法，是先在基板上形成硅层，然后形成一热滞留层于硅层之上，接着，利用具有陡峭能量密度梯度的激光束，进行激光加热制程，以诱发部分硅层发生超级横向长晶行为。其中，热滞留层能在激光加热制程中，对硅层的结晶行为产生辅助加热的作用，以增长超级横向长晶的长度。最后，重复地移动激光束至基板不同位置，照射激光以完成整面基板的结晶制程。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜的制作方法，至少包含：形成一硅层于一基板上；形成一热滞留层于所述硅层之上；利用至少一具有陡峭能量密度梯度的激光束，进行一激光加热制程，以诱发部份所述硅层发生超级横向长晶行为；以及重复地移动激光束至基板不同位置，照射激光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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