[发明专利]减少字元线片电阻的方法有效
| 申请号： | 200510131806.5 | 申请日： | 2005-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1812055A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 刘宏伟;施学浩;王嗣裕 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种减少字元线片电阻的方法，此方法是形成具有较低片电阻的记忆体字元线。在一实施例中，利用第一前驱气体流量在一半导体基底上沉积一第一多晶硅部。利用第二前驱气体流量沉积一第二多晶硅部，其中第二前驱气体流量大于第一前驱气体流量。利用硅烷气体沉积一硅化钨层。从多晶硅和硅化钨(WSix)的隔离沟渠中形成数个字元线。植入一闸极。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 字元 电阻 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成记忆体字元线的方法，包括：形成一第一闸极介电层；在该第一闸极介电层上形成一电荷储存层；在该电荷储存层上形成一第二介电层；利用一气体，以一第一气体流量沉积一第一多晶硅部；利用该气体，以一第二气体流量沉积一第二多晶硅部，该第二气体流量大于该第一气体流量；利用硅烷气体沉积一硅化钨层，其中从多晶硅和硅化钨的一堆叠膜的多数个隔离沟渠中形成多数个字元线；以及植入一闸极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
