[发明专利]形成半导体结构的方法

摘要

本发明是有关于一种形成半导体结构的方法，是用来改善闸极控制与末端覆盖结构，此方法包括以下步骤。一闸极介电层在具有一主动区的基材上形成。一闸电极层在闸极介电层上形成。一第一光阻在闸电极层上形成。闸电极层与闸极介电层随后被蚀刻以形成闸极结构与空置图案。第一光阻随后被移除。一第二光阻形成用以覆盖闸极结构。未受第二光阻保护的空置图案被移除。第二光阻其后亦被移除。通过本发明MOS元件的关键尺寸得以控制。而桥接与线末缩短效应得以免除。由于对元件设计尺寸的正确掌握，在不需要复杂调整技术如光学近接校正(OPC)的情况下，N/P ratio得以控制。故整体晶片速度与效能皆改善。

主权项

1、一种形成半导体结构的方法，其特征在于该方法至少包括：形成一闸极介电层在具有一主动区的基材上；以及形成一闸电极层在该闸极介电层上；以及蚀刻该闸电极层与该闸极介电层以形成一闸极结构与一空置图案，其中该空置图案的至少一部份位于该主动区；以及形成一光阻，覆盖于该闸极结构；以及蚀刻该空置图案；以及移除该光阻。