[发明专利]CMOS图像传感器的滤色器阵列及其重新形成方法

摘要

本发明提供了一种CMOS图像传感器的滤色器阵列及其重新形成方法，其中，该方法包括以下步骤：通过去除第一微透镜、第一外涂层材料图样、以及第一滤色器阵列来暴露第一盖氧化层；去除所暴露的第一盖氧化层；在半导体衬底的整个表面上形成第二盖氧化层；在第二盖氧化层上形成与单位像素阵列区相对应的第二滤色器阵列；在第二滤色器阵列上形成第二外涂层材料图样；通过选择性地蚀刻第二盖氧化层来暴露金属焊盘；以及在第二外涂层材料图样上形成第二微透镜。

主权项

1.一种CMOS图像传感器的滤色器阵列，所述CMOS图像传感器包括：半导体衬底，被分成单位像素阵列区和焊盘区；金属焊盘，形成在所述半导体衬底的所述焊盘区中；以及第一盖氧化层、第一滤色器阵列、第一外涂层材料图样、和第一微透镜层，顺序地形成在所述单位像素阵列区中；通过去除所述第一微透镜层、所述第一外涂层材料图样、以及所述第一滤色器阵列来暴露出所述第一盖氧化层，并去除所暴露出的第一盖氧化层；所述滤色器阵列包括：第二盖氧化层，在所述半导体衬底的整个表面上形成；第二滤色器阵列，其在所述第二盖氧化层上形成，与所述单位像素阵列区相对应；第二外涂层材料图样，在所述第二滤色器阵列上形成；所述金属焊盘，其通过选择性地蚀刻所述第二盖氧化层来暴露；以及第二微透镜层，其在所述第二外涂层材料图样上形成。