[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510132207.5 | 申请日： | 2005-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1815755A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 王志豪;蔡庆威;陈尚志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹市新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高介电常数材料的半导体装置，包括一基底，以及形成于基底上的高介电常数材料，此高介电常数材料最好是非结晶形的HfSiON。在一较佳的实施例中，此高介电常数材料含有氮成分。在一较佳的实施例中，氮化硅层是使用喷射气相沉积法形成于高介电常数材料上的。在此JVD氮化层沉积之后，此层具有较低的电荷陷阱密度，并且具有与氧化物或氮氧化物相当的载流子迁移率以及更佳的等效氧化层厚度。本发明还可包含第二含氮层，形成于高介电常数材料以及栅电极之间，作为扩散阻障层之用。本发明可减少形成于高介电常数材料中的氧空缺所造成的问题，因此而减少费米能级钉扎效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一基底；一第一含氮层，形成于该基底上；一高介电常数材料，该高介电常数材料含有氮成分，形成于该第一含氮层上，其中该第一含氮层中的氮浓度大于该高介电常数材料中的氮浓度；以及一栅电极材料，形成于该高介电常数材料上。
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