[发明专利]一种晶体生长的装置及方法有效
申请号: | 200510132405.1 | 申请日: | 2005-12-21 |
公开(公告)号: | CN1986905A | 公开(公告)日: | 2007-06-27 |
发明(设计)人: | 黎建明;苏小平;杨海;霍承松;李楠;那木;杨鹏 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司 |
主分类号: | C30B17/00 | 分类号: | C30B17/00 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 胡福恒 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种晶体生长的装置及方法,坩埚熔体上方有一根可以升降的管状的热交换器,管状的热交换器的下端带有一个夹头,其上装有籽晶,在管状的热交换器内设置有向管状的热交换器内底部输送氦气的输气管。所述装置的晶体生长的方法,主要包括下列步骤:(1)电阻加热器升温,使坩埚内原料熔化;(2)籽晶的熔接,通过控制电阻加热器的功率和热交换器内氦气的流量;(3)增加氦气量,冷却籽晶,控制晶体生长速度;(4)向上提拉热交换器,降低电阻加热器的功率,使晶体生长界面往下推进;(5)晶体生长完成后,晶体与坩埚内的熔体脱开分离,逐步降温至室温,晶体生长完成;由于晶体不与熔体、坩埚壁接触,缩短了晶体的降温时间和生产周期。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体生长 装置 方法 | ||
【主权项】:
1、一种晶体生长的装置,主要包括有一个筒形的电阻加热器,在筒形的电阻加热器的中央设置有一个坩埚,在筒形的加热器外部设置有保温层,其特征在于:坩埚熔体上方有一根可以升降的管状的热交换器,管状的热交换器的下端带有一个夹头,夹头上装有籽晶,在管状的热交换器内设置有通向管状的热交换器内底部输送氦气的输气管。
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