[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200510132423.X 申请日: 2005-12-23
公开(公告)号: CN1987622A 公开(公告)日: 2007-06-27
发明(设计)人: 龙春平 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/136 分类号: G02F1/136;G02F1/133;H01L29/786;H01L21/027;G03F7/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100016*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板结构及其制造方法。本发明公开的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板结构通过增大透明像素电极与薄膜晶体管的漏电极的接触面积,来形成良好的电连接。本发明公开的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板的制造方法包含三次掩膜版光刻工艺步骤:首先,使用第一个普通掩膜版进行第一层金属薄膜的图案定义,形成栅极扫描线和栅电极;然后,使用第二个掩膜版,即灰色调半透明掩膜版进行第二层金属薄膜和有源层的图案定义,形成数据扫描线、硅岛、源漏电极和薄膜晶体管的沟道;最后,使用第三个普通掩膜版进行第二层绝缘薄膜,即钝化膜的图案定义,再利用离地剥离工艺形成透明导电薄膜的图案,即透明像素电极。本方法减少掩膜版的数目和光刻工艺次数,简化了薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板制造工艺。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 液晶显示器 阵列 板结 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种薄膜晶体管阵列基板结构,包括:玻璃基板,形成于玻璃基板上的栅极扫描线、数据扫描线、薄膜晶体管和透明像素电极,其特征在于:所述透明像素电极和所述薄膜晶体管漏电极的电连接是通过透明像素电极覆盖到薄膜晶体管漏电极的上表面,形成全接触的结构实现的。
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