[发明专利]一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉有效
申请号: | 200510132575.X | 申请日: | 2005-12-26 |
公开(公告)号: | CN1990918A | 公开(公告)日: | 2007-07-04 |
发明(设计)人: | 吴志强;戴小林;任雨昆;姜舰;周旗钢;张果虎 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;F27B14/04 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭佩兰 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉,所述的方法是将炉内气体从位于热场上方侧壁的排气孔排出的方法;所述的单晶炉包括:石英坩埚、石墨坩埚、加热器、保温材料、金属筒、筒盖、热屏,其特征在于:在金属筒筒体的上部连接一带排气孔的上筒体。本发明的优点是:硅单晶生长过程中多晶硅和石英坩埚产生的挥发物SiO的流向不再经过加热器和石墨坩埚,增加了热场部件等的寿命,同时该装置便于清扫,增加了效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 直拉硅单晶炉热场 部件 寿命 方法 单晶炉 | ||
【主权项】:
1、一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法,其特征在于:它采用使炉内气体从位于热场上方侧壁的排气孔排出的方法。
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