[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510132656.X | 申请日： | 2005-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1815716A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 高宽柱 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中，通过形成根据透过滤色器层接收到的入射光的波长而改变深度的光电二极管来提高色平衡。预定的深度随着入射光波段的波长的增加而由浅到深，以使对于例如蓝光的入射光的波段的最短波长，预定的深度最浅，而对于例如红光的入射光的波段的最长波长，预定深度最深。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，所述CMOS图像传感器具有用于根据波长接收对应的多个波段的入射光的多个有源器件，所述方法包括：在半导体衬底的上方形成用于各波段入射光的有源区域，其中，每个有源区域具有相对于入射光的每个波段的预定深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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