[发明专利]测量场效应晶体管(FET)特性的方法

摘要

在一种FET特性测量的方法中，将从一偏压三通管的一输出端子输出的一预定偏压电压施加到一FET的漏极，且将从一脉冲发生器输出的一脉冲施加到其栅极，以借此导致产生漏极电流。通过连接到所述偏压三通管的一AC输出端子的一负载阻抗将所述漏极电流转换成一电压脉冲，并基于所述电压脉冲测量所述漏极电流。所述方法包括：将所述偏压电压增加一对应于由所述负载阻抗引起的一电压降的量且重复测量一所述电压脉冲值一预定次数，和对通过所述预定次数的重复测量所得到的所述电压脉冲值的最后两个值应用外推法以确定待施加到所述FET的一漏极电压。

主权项

1.一种场效应晶体管特性的测量方法，其中将从一偏压三通管的一输出端子输出的一预定偏压电压施加到一场效应晶体管的一漏极；将从一脉冲发生器输出的一脉冲施加到所述场效应晶体管的一栅极，以借此导致所述场效应晶体管中产生漏极电流；通过一连接到所述偏压三通管的一交流电流输出端子的一负载阻抗将所述漏极电流转换成一电压脉冲；且基于所述电压脉冲测量所述漏极电流，所述方法包含以下步骤：将所述偏压电压增加一对应于由所述负载阻抗引起的一电压降的量，且重复测量所述电压脉冲一预定次数，而所述电压脉冲响应于所述偏压电压的一增加而变化；和对通过所述预定数目的重复测量所得到的所述电压脉冲的最后两个测量值应用外推法以确定待施加到所述场效应晶体管的一漏极电压。