[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510132832.X | 申请日： | 2005-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1794462A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 金尚源 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种能够提高光的聚焦能力的CMOS图像传感器及其制造方法。CMOS图像传感器包括多个在平面化层的上部形成的第一微透镜，每个第一微透镜均排列在相应的光电二极管上方，以及在平面化层上形成的多个第二微透镜，多个第二微透镜的每个分别包围相应的第一微透镜。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器，包括：半导体衬底；多个光电二极管，相互间以预定距离排列在所述半导体衬底上；内绝缘层，形成在包括所述光电二极管的所述半导体衬底的整个表面上；多个滤色器层，相互间以预定距离排列在所述内绝缘层上；平面化层，形成在包括所述滤色器层的所述半导体衬底的整个表面上；多个第一微透镜，形成在所述平面化层的上部中，每个所述第一微透镜分别排列在相应的光电二极管上方；以及多个第二微透镜，形成在所述平面化层上，所述多个第二微透镜中的每个分别包围相应的第一微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
