[发明专利]CMOS图像传感器无效
| 申请号： | 200510132949.8 | 申请日： | 2005-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1819231A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 金凡植 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器包括：光感测器件，用于产生光电荷；浮动扩散区，用于存储由所述光感测器件产生的光电荷；传递晶体管，其连接在所述光感测器件和所述浮动扩散区之间，用于将由所述光感测器件产生的光电荷传递到所述浮动扩散区；重置晶体管，其连接在电源电压端子和所述浮动扩散区之间，用于将存储在所述浮动扩散区中的电荷放电以重置所述浮动扩散区；驱动晶体管，用于响应于来自所述光感测器件的输出信号来充当源跟随器缓冲放大器；开关晶体管，其连接到所述驱动晶体管，用于进行寻址操作；以及电荷控制器件，其连接在所述光感测器件和所述传递晶体管之间，用于控制存储在所述光感测器件中的电荷的量。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种互补金属氧化物硅(CMOS)图像传感器，包括：光感测器件，用于产生光电荷；浮动扩散区，用于存储由所述光感测器件产生的光电荷；传递晶体管，其连接在所述光感测器件和所述浮动扩散区之间，用于将由所述光感测器件产生的光电荷传递到所述浮动扩散区；重置晶体管，其连接在电源电压端子和所述浮动扩散区之间，用于将存储在所述浮动扩散区中的电荷放电以重置所述浮动扩散区；驱动晶体管，用于响应于来自所述光感测器件的输出信号来充当源跟随器缓冲放大器；开关晶体管，其连接到所述驱动晶体管，用于进行寻址操作；以及电荷控制器件，其连接在所述光感测器件和所述传递晶体管之间，用于控制存储在所述光感测器件中的电荷的量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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