[发明专利]高输出发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200510132958.7 | 申请日： | 2005-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1822400A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 李贤宰;河俊硕 | 申请（专利权）人： | LG电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄威;张金海 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高输出发光二极管(LED)及其制造方法。该LED包括倾斜的侧壁或表面。在该倾斜的侧壁或表面形成反射薄膜以允许光从反射薄膜反射并相对于该器件向上或向有利的方向发光，从而这种设置可提高LED的光输出而无需另外的钝化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 输出 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高输出发光二极管(LED)，包括：具有倾斜表面的结构，包含N型半导体层、活性层和P型半导体层；和实质上沿所有倾斜表面设置的反射薄膜，以反射从活性层发出的光；其中该N型半导体层、活性层和P型半导体层以叠层形式设置，所述的叠层构造成允许光从活性层射出。
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