[发明专利]半导体存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510132970.8 | 申请日： | 2005-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1855548A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 小泽良夫;上冈功;盐泽顺一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/105;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件的制造方法，包括：在半导体衬底的上方形成浮置栅极电极的工序；在上述浮置栅极电极的上方形成电极间绝缘膜的工序；利用第1自由基氮化在上述电极间绝缘膜的表面形成第1自由基氮化膜的工序；以及在上述第1自由基氮化膜上形成控制栅极电极的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，其特征在于，具备：半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的隧道绝缘膜；在上述隧道绝缘膜上形成的具有位于上方的第1侧面部分和比该第1侧面部分位于下方的第2侧面部分的浮置栅极电极；与上述浮置栅极电极相邻地设置在上述半导体衬底内的元件隔离沟；从上述浮置栅极电极的上述第2侧面部分沿着上述元件隔离沟的侧面和底面形成的第1元件隔离绝缘膜；在上述第1元件隔离绝缘膜上形成的使上述第1元件隔离绝缘膜的上方的侧面部分露出的第2元件隔离绝缘膜；设置在上述浮置栅极电极、上述第1和第2元件隔离绝缘膜上的第1自由基氮化膜；设置在上述第1自由基氮化膜上的电极间绝缘膜；设置在上述电极间绝缘膜上的含氮膜；以及设置在上述含氮膜上的控制栅极电极；其中，在上述浮置栅极电极的上述第2侧面部分中，在上述浮置栅极电极与上述第1自由基氮化膜之间存在上述第1元件隔离绝缘膜的一部分。
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