[发明专利]集成电路制造中用于俄歇电子能谱的样品的处理方法有效
| 申请号： | 200510133003.3 | 申请日： | 2005-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1991346A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张启华;李明;牛崇实;廖炳隆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/227 | 分类号： | G01N23/227;G01N1/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在集成电路制造中用于分析样品的方法，集成电路例如是MOS晶体管、专用集成电路、存储器器件、微处理器、片上系统。该方法包括提供一块集成电路芯片，其具有表面区域，该表面区域具有至少一个感兴趣区域，如键合焊盘。该方法包括利用阻隔材料覆盖包括感兴趣区域在内的表面区域的第一部分。该方法还在表面区域的第二部分上形成金属层，同时阻隔材料保护了第一部分。该方法移去阻隔材料以暴露包括感兴趣区域在内的表面区域的第一部分。该方法还对金属层施加电压差以从表面区域的第一部分吸引走一个或多个带电粒子。该方法还对包括感兴趣区域在内的表面区域进行能谱分析。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 用于 电子 样品 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路制造中用于分析样品的方法k，所述方法包括：提供一块集成电路芯片，所述集成电路芯片具有围绕有钝化材料的焊盘区，所述焊盘区具有至少一个感兴趣区域；利用阻隔材料覆盖包括所述感兴趣区域在内的所述焊盘区的第一部分；在所述焊盘区的第二部分上形成金属层，同时所述阻隔材料保护了所述第一部分；移去所述阻隔材料以暴露包括所述感兴趣区域在内的所述焊盘区的第一部分；对所述金属层施加电压差以从所述焊盘区的第一部分吸引走一个或多个带电粒子；以及对包括所述感兴趣区域在内的所述焊盘区进行能谱分析。
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