[发明专利]悬浮换热烧结结晶法制备层硅的方法及其装置有效

专利信息
申请号: 200510133739.0 申请日: 2005-12-16
公开(公告)号: CN1830780A 公开(公告)日: 2006-09-13
发明(设计)人: 辛生业;辛鸣 申请(专利权)人: 泰安中意粉体热工研究院
主分类号: C01B33/38 分类号: C01B33/38;C01B33/32
代理公司: 泰安市泰昌专利事务所 代理人: 姚德昌
地址: 271000山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种悬浮换热烧结结晶法制备层硅的方法及其装置。是首先制得符合要求的泡花碱溶液,再用洁净热空气处理制成粉状非晶形二硅酸钠,然后粉磨成细粉,再悬浮状态下经300~450℃热处理后导入固定式结晶装置或旋转式结晶装置,在温度为650~850℃条件下、悬浮状态下加热烧结结晶,形成以δ-晶形为主体的粒状层硅,经细碎后按不同粒径分级分选分别储存,再根据不同视比重要求,按比例把不同粒径的细粉均匀配合,即得产品层硅。本发明还提供了悬浮预热装置、固定式结晶装置、旋转式结晶装置。具有选取的原料可以放宽,生产周期短,生产效率高,保证产品质量,耗能低,成本低,操作简便,可满足工业化生产的需要等特点。
搜索关键词: 悬浮 烧结 结晶 法制 备层硅 方法 及其 装置
【主权项】:
1、一种悬浮换热烧结结晶法制备层硅的方法,其特征在于首先将选取的原料制得符合要求的泡花碱溶液并将其浓缩至浓度为45%~60%,再用300~450℃洁净热空气处理制成粉状非晶形二硅酸钠,然后将粉状非晶形二硅酸钠粉磨成细粉,将该细粉引入悬浮预热装置并在悬浮状态下进行300~450℃预热处理后,再导入固定式结晶装置或者旋转式结晶装置,并在悬浮状态下进行650~850℃换热后烧结结晶,形成以δ-晶形为主体的粒状层硅,将该粒状层硅细碎,按不同粒径范围分级分选,再根据不同视比重要求,按比例把不同粒径范围的细粉均匀配合,即得产品层硅。
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