[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置、及叠层半导体装置有效

专利信息
申请号: 200510133816.2 申请日: 2005-12-21
公开(公告)号: CN1812075A 公开(公告)日: 2006-08-02
发明(设计)人: 深泽元彦 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L27/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体装置的制造方法,包括:准备包括多个半导体元件部的半导体晶片,形成导电部的工序;在设置于所述半导体晶片能动面的元件区域外周的切断区域上,形成没有贯通所述半导体晶片的第一槽部的工序;使所述半导体晶片的厚度变薄的工序;其后,在所述第一槽部的相反侧的所述背面上,形成没有贯通至该第一槽部的第二槽部的工序;分割所述多个半导体元件部而形成多个半导体芯片的工序;在所述各半导体元件部上形成贯通电极的工序;通过从所述支撑体剥离所述半导体芯片,从而使所述多个半导体元件部单片化的工序。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,包括:准备包含多个半导体元件部的半导体晶片,在所述多个半导体元件部的能动面上形成孔部,在该孔部内形成绝缘膜,在所述孔部内埋入经由该绝缘层从所述能动面突出的导电材料,而形成导电部的工序;在设置于所述半导体晶片能动面的元件区域外周的切断区域上,形成没有贯通所述半导体晶片的第一槽部的工序;经由粘接层使半导体晶片和支撑体贴在一起,以使所述绝缘膜不漏出的方式,削掉与所述能动面相反侧的背面,使所述半导体晶片的厚度变薄的工序;其后,在所述第一槽部的相反侧的所述背面上,形成没有贯通至该第一槽部的第二槽部的工序;从所述半导体晶片的背面通过各向同性蚀刻使所述绝缘膜漏出,使所述半导体晶片的厚度变薄,并通过连接所述第一槽部和所述第二槽部,从而分割所述多个半导体元件部而形成多个半导体芯片的工序;从所述背面通过蚀刻,使所述导电部从所述绝缘膜漏出,从而在所述各半导体元件部形成贯通电极的工序;通过从所述支撑体剥离所述半导体芯片,使所述多个半导体元件部单片化的工序。
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