[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200510133849.7 | 申请日： | 2005-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1921083A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 铃木邻太郎;森冈博;寺原政德 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;高龙鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，包含如下步骤：在硅衬底10上形成由氧化硅膜12和氮化硅膜14构成的硬掩模20，其中氮化硅膜14的宽度小于氧化硅膜12的宽度；使用硬掩模20作为掩模蚀刻硅衬底10，以在硅衬底10中形成用于限定有源区24的沟槽26；以及在形成有沟槽26的硅衬底10上形成氧化硅膜28。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底上形成由第一绝缘膜和第二绝缘膜构成的掩模层，其中该第一绝缘膜的蚀刻特性不同于该半导体衬底的蚀刻特性，该第二绝缘膜的宽度小于该第一绝缘膜的宽度且蚀刻特性不同于该第一绝缘膜的蚀刻特性；以该掩模层作为掩模蚀刻该半导体衬底，以形成限定有源区的器件隔离沟槽；在形成有器件隔离沟槽的半导体衬底上形成第三绝缘膜；以及去除该第二绝缘膜上的第三绝缘膜，以形成埋入该器件隔离沟槽中的器件隔离膜，该器件隔离膜具有在该有源区的周边上突出的突出部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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