[发明专利]光记录介质无效
申请号: | 200510133921.6 | 申请日: | 2005-12-20 |
公开(公告)号: | CN1892852A | 公开(公告)日: | 2007-01-10 |
发明(设计)人: | 李光烈 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;G11B7/242 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 樊卫民;杨本良 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种光记录介质。根据本发明的一个实施方案的光记录介质包括基底,位于基底上侧并反射入射激光束的反射层,和位于该反射层之上的信息记录层。该信息记录层包括含有AXB1-X (0.1≤X≤0.9)形式的化合物的第一记录层,其中A为选自由Ni、Ag、W和Cr构成的组中的一种元素,而B由选自该组的除了对应于A的一种元素之外的至少一种元素构成,以及含有选自由Si、Sn、Sb和Ge构成的组的至少一种元素的第二记录层。激光束在照射到第二记录层上之前先照射在第一记录层上。因此,通过结合记录层材料本发明的光记录介质可以提供适合于BD系统的高记录密度和高传送速度。 | ||
搜索关键词: | 记录 介质 | ||
【主权项】:
1.一种光记录介质,其记录信息的机制是通过照射的激光束在信息记录层中形成具有与周围物质不同的反射率的物质,该光记录介质包括:基底;位于基底上侧并反射入射激光束的反射层;和位于该反射层之上的信息记录层,其中该信息记录层包括:含有AXB1-X(0.1≤X≤0.9)形式的化合物的第一记录层,其中A为选自由Ni、Ag、W和Cr构成的组中的一种元素,而B由选自该组的除了对应于A的一种元素之外的至少一种元素构成;和含有选自由Si、Sn、Sb和Ge构成的组的至少一种元素的第二记录层,其中激光束在照射到第二记录层上之前先照射在第一记录层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子株式会社,未经LG电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510133921.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。