[发明专利]半导体开关器件有效
申请号: | 200510133938.1 | 申请日: | 2005-12-19 |
公开(公告)号: | CN1988151A | 公开(公告)日: | 2007-06-27 |
发明(设计)人: | 彭家驱 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H03K17/567 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 半导体开关器件,涉及一种电子开关器件,尤其是涉及一种半导体开关器件。提供一种在电子设备和自动化控制中,尤其是大功率工业自动化控制中具有广泛应用前景的半导体开关器件。为4层PN结构,设有1个三极管和1个二极管,三极管的集电极接二极管;三极管为NPN三极管,NPN三极管的集电极接二极管负极,构成1个正向导通开关器件,或者三极管为PNP三极管,PNP三极管的集电极接二极管正极,构成1个负向导通开关器件。可广泛用于工业自动化,尤其是大功率自动化控制。改变器件的导通时间即可改变输出功率,改变其导通频率,可以将其干扰频谱移至高频段,经过一个低通滤波器,即可将干扰频谱滤除,使干扰减少到很小范围。 | ||
搜索关键词: | 半导体 开关 器件 | ||
【主权项】:
1、半导体开关器件,其特征在于为4层PN结构,由1个三极管和1个二极管组成,三极管的集电极接二极管;所述三极管为NPN三极管,NPN三极管的集电极接二极管的负极,构成1个正向导通开关器件,或者三极管为PNP三极管,PNP三极管的集电极接二极管的正极,构成1个负向导通开关器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的