[发明专利]硫化镉半导体量子点的制备方法无效
申请号: | 200510133953.6 | 申请日: | 2005-12-20 |
公开(公告)号: | CN1986726A | 公开(公告)日: | 2007-06-27 |
发明(设计)人: | 陈淼;娄文静;王晓波 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | C09K11/56 | 分类号: | C09K11/56 |
代理公司: | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人: | 方晓佳 |
地址: | 730000甘肃*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了一种通过前驱体热解法获得高度单分散的油溶性硫化镉半导体量子点的制备方法。采用新颖的含长碳链双烷基硫膦酸作为金属镉离子的配体形成前驱体,经过简单的热解反应过程以及沉淀,过滤,干燥等后过程处理即可得到硫化镉半导体纳米粉。产物粒径均匀,约在5nm左右,可以溶解的形式分散于苯、甲苯、石油醚、氯仿等非极性或弱极性溶剂中形成透明的纳米分散体系;该方法所制备硫化镉纳米颗粒粉体的光学性质十分优异。 | ||
搜索关键词: | 硫化 半导体 量子 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种硫化镉半导体量子点的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:a、前驱体的制备:将(O,O’)-双-正烷基二硫代磷酸盐溶于乙醇中,搅拌均匀后过滤;在滤液中加入镉盐溶液,继续搅拌,在140~250℃下反应直至有浅黄白色沉淀出现,将其滤出,干燥;b、然后将浅黄白色粉体分散在低极性的有机溶剂中,氮气保护下,加热至140~200℃反应4~6小时;c、反应结束后,冷却并向反应液中加入沉淀剂,有大量黄色沉淀析出,陈化,过滤,洗涤,所得黄色粉末即为单分散的油溶性硫化镉半导体量子点的粉体样品。
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