[发明专利]铁电膜、铁电膜的制造方法、铁电电容器、以及铁电存储器有效
| 申请号： | 200510134103.8 | 申请日： | 2005-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1797771A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 木岛健;滨田泰彰;古林智一;宫泽弘 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/102;H01L27/10;H01L27/00;H01L29/92;H01L21/8242;H01L21/8222;H01L21/82;H01L21/02;H01L21/00;H01B3/02;H01G4/06;C01G1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种铁电膜、铁电膜的制造方法、铁电电容器、以及铁电存储器，所述铁电膜101由用通式(Pb1－dBid)(B1－aXa)O3表示的铁电膜构成，其中：B由Zr和Ti中的至少一方构成，X由Nb和Ta中的至少一方构成，a的范围为0.05≤a≤0.4，d的范围为0＜d＜1。根据本发明可以提供具有良好的滞后特性的铁电电容器、以及铁电存储器，此外还可以提供适用于铁电存储器和上述铁电电容器的铁电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电膜 制造 方法 电容器 以及 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种铁电膜，包括用通式(Pb1-dBid)(B1-aXa)O3表示的铁电膜，其中：B由Zr和Ti中的至少一方构成，X由Nb和Ta中的至少一方构成，a的范围为0.05≤a≤0.4，d的范围为0＜d＜1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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