[发明专利]垂直磁记录介质和磁记录/再现装置无效
| 申请号： | 200510134190.7 | 申请日： | 2005-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1822111A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 岩崎剛之;喜喜津哲;及川壮一;前田知幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/70;G11B5/73 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。在衬底(1)和磁记录层(6)之间形成至少三个底层，即，包含选自Ag、Ir、Ni、Pd、Pt、Rh、Hf、Re、Ru、Ti、Ta、Zr、Mg和Al的至少一种元素作为主要成分的第一底层(3)、包含Mg或Al和Si的第二底层(4)和包含选自Pt、Pd、Ru、Rh、Co和Ti的至少一种元素作为主要成分的第三底层(5)。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 再现 装置 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁记录介质(10)，其特征在于包括：非磁性衬底(1)；在非磁性衬底(1)上形成并包含选自包含Ag、Ir、Ni、Pd、Pt、Rh、Hf、Re、Ru、Ti、Ta、Zr、Mg和Al的组的至少一种元素作为主要成分的第一底层(3)；第二底层(4)，形成在第一底层(3)上并与第一底层(3)接触，并包含：包含Mg和Al之一作为主要成分的晶粒和包含Si作为主要成分并包围晶粒的晶界区；在第二底层(4)上形成并包含选自包含Pt、Pd、Ru、Rh、Co和Ti的组的至少一种元素作为主要成分的第三底层(5)；和在第三底层(5)上形成的垂直磁记录层(6)。
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