[发明专利]一种羰基镍的合成方法有效

专利信息
申请号: 200510134248.8 申请日: 2005-12-15
公开(公告)号: CN1775695A 公开(公告)日: 2006-05-24
发明(设计)人: 滕荣厚;柳学全;陈趣山;刘思林 申请(专利权)人: 钢铁研究总院
主分类号: C01G53/02 分类号: C01G53/02
代理公司: 北京中安信知识产权代理事务所 代理人: 金向荣
地址: 100081*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于粉末冶金领域,特别涉及一种羰基镍的合成方法。该方法包括如下具体步骤:(1)制备具有活性的羰基合成原料:首先将上述合金组份加热至熔融状态1600℃~1650℃,然后将此熔体通过0.3~0.5MPa高压水雾化快速冷凝,水温控制在10~15℃,雾化速度为4~5kg/分钟,获得的合金颗粒粒径范围为0.5~5mm,其中粒径在0.5~2mm的颗粒≥85%;粒径在2~5mm的颗粒≤15%;(2)羰基镍合成:将上述制备的合金颗粒放置在容积为10升的高压釜内,羰基合成条件为:通入高压釜的CO含量≥92%;CO气体在羰基合成的系统中循环速度8~12次/小时,压力5~12MPa;温度:100~150℃;合成时间:24~32小时。本发明与现有技术相比具有工艺简单、设备造价低、羰基合成率高的优点。
搜索关键词: 一种 羰基 合成 方法
【主权项】:
1、一种羰基镍的合成方法,其特征在于该方法所用原料为含硫的铜镍合金,其化学组成成分(重量%)为:Ni 60~80%,Cu 8~18%,Fe 3~5%,Co 0.5~2%,S 1.5~3.5%,其中Cu∶S>4∶1;该方法包括如下具体步骤:(1)制备具有活性的羰基合成原料首先将上述合金组份加热至熔融状态1600℃~1650℃,然后将此熔体通过0.3~0.5Mpa高压雾化快速冷凝,水温控制在10~15℃,雾化速度为4~5kg/分钟,获得的合金颗粒粒径范围为0.5~5mm,其中粒径在0.5~2mm的颗粒≥85%;粒径在2~5mm的颗粒≤15%;(2)羰基镍合成将上述制备的合金颗粒放置在容积为10升的高压釜中,羰基合成条件为:通入高压釜中的CO含量≥92%;CO气体在羰基合成的系统中循环速度8~12次/小时,压力5~12MPa;温度:100~150℃;合成时间:24~32小时。
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