[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200510134498.1 | 申请日： | 2005-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1797161A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 崔荣锡;庾弘宇;曹基述;李在晤;丁辅径 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;祁建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板。该TFT阵列基板包括：连接到栅线的栅极；连接到与栅线交叉并限定像素区域的数据线的源极；与源极相对且二者之间具有沟道的漏极；形成源极和漏极之间沟道的半导体层；位于像素区域并与漏极接触的像素电极；形成于半导体层上的沟道钝化层；具有延伸自栅线的栅焊盘下电极的栅焊盘；以及具有和数据线分离的数据焊盘下电极的数据焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：连接到栅线的栅极；连接到与栅线交叉并限定像素区域的数据线的源极；与源极相对的漏极，在二者之间设置有沟道；形成源极和漏极之间沟道的半导体层；位于像素区域并与漏极接触的像素电极；形成于半导体层上的沟道钝化层；具有延伸自栅线的栅焊盘下电极的栅焊盘；以及具有和数据线分离的数据焊盘下电极的数据焊盘。
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