[发明专利]具有电阻性尖端的半导体探针及其制造方法有效
| 申请号： | 200510134516.6 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1811944A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 丁柱焕;申炯澈;高亨守;洪承范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B9/14 | 分类号： | G11B9/14;G12B21/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;谭昌驰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有电阻性尖端的半导体探针和制造该半导体探针的方法。掺杂有第一杂质的电阻性尖端包括：电阻性区域，形成在电阻性尖端的顶部，轻掺杂有第二杂质，第二杂质与第一杂质的极性相反；第一半导体电极区域和第二半导体电极区域，形成在电阻性尖端的斜侧面上，重掺杂有第二杂质。半导体探针包括：电阻性尖端；悬臂，电阻性尖端位于悬臂的端部上；介电层，位于悬臂上并覆盖电阻性区域；金属屏蔽，位于介电层上并具有形成在与电阻性区域对应的位置处的开口。因此，提高了半导体探针的空间分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电阻 尖端 半导体 探针 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体探针，包括：电阻性尖端，掺杂有第一杂质，所述电阻性尖端包括：电阻性区域，形成在所述电阻性尖端的顶部，轻掺杂有第二杂质，所述第二杂质与所述第一杂质的极性相反；第一半导体区域和第二半导体区域，形成在所述电阻性尖端的斜侧面上，重掺杂有所述第二杂质；悬臂，所述电阻性尖端位于所述悬臂的端部上；介电层，覆盖所述电阻性区域；金属屏蔽，位于所述介电层上，并具有形成在与所述电阻性区域对应的位置处的开口。
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