[发明专利]形成图形的方法

摘要

一种形成具有高分辨率和高精确度的蚀刻图形的方法，该方法防止在有机抗反射膜和光敏感材料膜之间的界面中形成反应产物，并在蚀刻后减少了已蚀刻膜的残余物。在半导体基质10上形成由多晶硅组成的可蚀刻膜11，有机抗反射膜12，和由化学放大抗蚀剂制成的光敏材料膜13，该抗蚀剂含有(a)一种鎓盐化合物和(b)至少一种磺酸酯化合物。通过掩模14对光敏材料膜13曝光并显影以形成已摹制的光敏材料膜13b 。其后用SO₂－O₂混合气体干法蚀刻抗反射膜，并且干法蚀刻已蚀刻的膜以形成蚀刻膜的图形。

主权项

1.一种形成图形的方法，包括：第一步，在半导体基质上形成的可蚀刻层上形成抗反射层，抗反射层由有机材料组成并且能够吸收能量束；第二步，在抗反射涂层上形成辐射敏感材料涂层；第三步，用能量束选择性地曝光辐射敏感材料涂层，然后除去曝光或非曝光区域的辐射敏感材料涂层以形成辐射敏感材料涂层的图形；第四步，使用辐射敏感材料涂层的图形作为掩模干法蚀刻抗反射涂层和可蚀刻层以形成由可蚀刻层组成的图形，其中辐射敏感材料涂层由化学放大抗蚀剂制成，该抗蚀剂含有(a)一种含有一个或数个在酸存在下能够脱落的取代基的有机原料，和(b)通过用辐射曝光能够产生酸的成份，该成份包括至少一种鎓盐和至少一种磺酸酯化合物；基于100重量份含有一个或数个在酸存在下能够脱落的取代基的有机原料，鎓盐化合物为0.1～5重量份，磺酸酯化合物为0.5～10重量份。