[发明专利]用于制造CMOS图像传感器的方法无效
| 申请号： | 200510135088.9 | 申请日： | 2005-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1819150A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 林必欧 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于制造CMOS图像传感器的方法，其中针对表面被使得荷电至一正电势的微透镜来执行电子簇射，以便中和该正电势，从而改善该图像传感器的性能和产出。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 cmos 图像传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括：在被分为有源区域和垫区域的半导体基板上的垫区域中形成金属垫；在包括所述金属垫的半导体基板的整个表面上形成钝化层；选择性地去除所述钝化层以暴露所述金属垫，从而形成金属垫敞开部分；在包括所述金属垫敞开部分的半导体基板的整个表面上形成阻挡层；在所述有源区域的阻挡层上形成R，G和B滤色器层；在所述滤色器层上形成微透镜；去除所述垫区域的阻挡层；以及执行电子簇射，以中和在所述微透镜俘获的正电势。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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