[发明专利]可控式变容器

摘要

本案揭示一种用以改良CMP制程及改良与主动区域电气绝缘的空白区域变容器以及其形成方法，该变容器包含具有一空白区域的一半导体基板，该空白区域包含具有一第一极性的一第一井区；一浅沟渠绝缘(STI)结构，是位于该基板中，以定义含有第一、第二及第三平台区的相邻平台区；以及一第二井区，是具有第二极性，位于具有该第二极性的该第一平台下方，以形成一PN接面界面；其中具有该第一极性的该第二及第三平台区是形成于相邻该第一平台区的每一侧。

主权项

1、一种集成电路装置，其特征在于其包括：一半导体基板，包括具有一第一极性的一第一井区；一浅沟渠绝缘(STI)结构，位于所述的基板中，以定义包括第一、第二及第三平台区的相邻平台区；以及一第二井区，具有第二极性，位于具有所述的第二极性的所述的第一平台下方，以形成一PN接面界面；其中具有所述的第一极性的所述的第二及第三平台区是形成于相邻所述的第一平台区的每一侧。