[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510135156.1 | 申请日： | 2005-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1819237A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 沈喜成;金泰雨 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中，在外延层的表面中形成沟槽，在所述沟槽中形成传送晶体管以同时减少死区和暗电流。CMOS图像传感器包括由光电二极管区以及晶体管区限定的第一导电型半导体基板，在半导体基板中形成的与所述晶体管区的传送晶体管对应的沟槽，所述传送晶体管的栅电极，形成在所述沟槽中，在光电二极管区的半导体基板中形成的第二导电型杂质离子区，以及在第二导电型杂质离子区的表面上形成的第一导电型杂质离子区。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器，包括：第一导电型半导体基板，由光电二极管区以及晶体管区限定；沟槽，其形成在半导体基板中，与所述晶体管区的传送晶体管对应；所述传送晶体管的栅电极，形成在所述沟槽中；第二导电型杂质离子区，形成在光电二极管区的半导体基板中；以及第一导电型杂质离子区，形成在第二导电型杂质离子区的表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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