[发明专利]用于制造半导体装置的晶体管的方法有效
| 申请号： | 200510135164.6 | 申请日： | 2005-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1855428A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 金明玉;郑台愚;李圣权;张世亿 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨红梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种用于制造半导体装置晶体管的方法。该方法包括：在包括底部结构的基片上形成装置隔离层，从而限定有源区；蚀刻有源区至预定深度以形成多个凹陷结构，所述凹陷结构的每个具有平的底部部分，所述底部部分具有比顶部部分的大的临界尺度(CD)；并且在凹陷结构上顺序形成栅氧化物层和金属层；并且图案化栅氧化物层和金属层以形成多个栅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 装置 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体装置的晶体管的方法，包括：在包括底部结构的基片上形成装置隔离层，从而限定有源区；蚀刻所述有源区至预定的深度以形成多个凹陷结构，所述凹陷结构的每个具有平的底部部分，所述底部部分具有比顶部部分的大的临界尺度(CD)；及在所述凹陷结构上顺序形成栅氧化物层和金属层；以及图案化所述栅氧化物层和所述金属层以形成多个栅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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