[发明专利]形成多晶硅薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种形成多晶硅薄膜的方法，包括：提供一形成多晶硅薄膜系统；提供一基板于该掩膜后方的该激光束的该行进路径上，该基板上形成有一非晶硅薄膜；以该激光束透过该掩膜对该非晶硅薄膜进行第一次激光照射，使对应该掩膜上的该多个第一透光区域的该非晶硅薄膜上的多个第一长条区域熔化；移除该激光束，使该熔化的该多个第一长条区域上的非晶硅薄膜形成一多晶硅薄膜；移动该基板一距离；以该激光束透过该掩膜对该多晶硅薄膜进行第二次激光照射；以及移除该激光束。本发明通过使用两次激光照射的连续侧向固化，并且通过掩膜设计以将激光光图形化以增加晶粒尺寸并提高了产量。

主权项

1、一种形成多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一形成多晶硅薄膜系统，主要包括一激光产生器，产生一激光束；以及一掩膜，设置于该激光束的行进路径上，该掩膜包括彼此相距一间隔S的多个第一透光区域以及彼此相距一间隔S的多个第二透光区域，其中，该多个第一透光区域与该多个第二透光区域相邻且具有一宽度W与一长度L，该每一多个第一透光区域的一中心线平行该长度L的方向，且延伸至该多个第二透光区域之一内，使得该第一透光区与该第二透光区间存在一偏移量OS；提供一基板于该掩膜后方的该激光束的该行进路径上，该基板上形成有一非晶硅薄膜；以该激光束透过该掩膜对该非晶硅薄膜进行第一次激光照射，使对应该掩膜上的该多个第一透光区域的该非晶硅薄膜上的多个第一长条区域熔化；移除该激光束，使该熔化的该多个第一长条区域上的非晶硅薄膜形成一具有一第一晶粒尺寸的多晶硅薄膜；沿着该长度L移动该基板一距离，该距离不大于该长度L，使得该多个第一长条区域对应该掩膜上的该多个第二透光区域；以该激光束透过该掩膜对该多晶硅薄膜进行第二次激光照射，使对应该掩膜上的该多个第二透光区域的该多晶硅薄膜上的多个第一长条区域再熔化；以及移除该激光束，使该再熔化的该多个第一长条区域上的多晶硅薄膜形成一具有一第二晶粒尺寸的多晶硅薄膜。