[发明专利]蚀刻方法及使用该方法的接触孔的形成方法无效
| 申请号： | 200510135720.X | 申请日： | 2005-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1797216A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 城户秀作 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;关兆辉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种一方面可抑制制造工艺的增加及制造成本增长，另一方面制造条件的控制不会变得困难、且形成超过曝光界限这样的细小尺寸的蚀刻结构的方法；在以薄膜晶体管等半导体装置中的接触孔为代表的、通过蚀刻形成的结构的形成方法及利用该方法的显示装置的制造方法中，特别是在以利用了有机膜的溶解回流技术的接触孔为代表的、通过蚀刻形成的结构的形成方法及利用了该方法的显示装置用的薄膜晶体管基板的制造方法中，至少包括以下工艺：使含有有机膜及添加了有机溶剂的膜之中的至少任意一个、且位于被蚀刻构成要素上的有机膜形成图案，并形成具有第一开口部及第二开口部的有机掩模的工艺；和通过使上述有机掩模与有机溶剂接触，溶解并回流上述有机掩模，形成变形有机掩模的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 使用 接触 形成 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，其特征在于，至少包括以下工艺：使含有有机膜及添加了有机溶剂的膜之中的至少任意一个、且位于被蚀刻构成要素上的有机膜形成图案，形成具有第一开口部及第二开口部的有机掩模的工艺；和通过使上述有机掩模与有机溶剂接触，溶解并回流上述有机掩模，形成变形有机掩模的工艺。
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