[发明专利]提供光学质量硅表面的方法无效
| 申请号： | 200510135772.7 | 申请日： | 2002-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1794022A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 米哈伊尔·N·内登科夫;黄权;西瓦苏布拉马尼亚姆·叶格纳纳拉雅纳 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在光学系统，包括集成的光学波导器件结构上制备光学质量硅表面的系统和方法。粗糙表面通过干刻蚀过程形成。热氧化物在表面上通过湿或干的氧化过程生长。使用基于HF的溶液来刻蚀生长的氧化物，降低表面的粗糙度。为了获得所需程度的平滑度，可以重复进行本发明的过程。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 光学 质量 表面 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提供硅光学表面的方法，该方法包括：刻蚀绝缘体硅基片形成具有表面粗糙的光学表面的光学表面波导，其中通过将硅基片进行离子注入形成介电层而形成所述绝缘体基片；氧化光学表面的一部分，形成氧化区，其中使用扩散模具来选择性地改变氧的扩散速率，从而选择性改变氧化区的氧化速率，在所述部分内的表面粗糙度根据氧的扩散速率的选择性改变而改变；除去氧化区，其中光学表面的表面粗糙度降低了。
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