[发明专利]包括柱子图形的闪速存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510135826.X | 申请日： | 2005-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1819212A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 金东赞 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/105;H01L21/8247;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种闪速存储器件，它包括：柱子图形，形成在选择的浮置栅对之间；以及控制栅延伸，进入选择的浮置栅对之间。本发明还提供了制造该闪速存储器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 柱子 图形 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪速存储器件，包括：隔离层，形成在半导体衬底上，而且限定多个平行激活区；多个浮置栅，形成在激活区的上方，而且其宽度大于激活区的宽度；柱子图形，其侧壁和下表面被隔离层覆盖，而且位于浮置栅的下表面的下面；以及多个控制栅极，与浮置栅重叠，而且穿过激活区，其中每个控制栅极分别包括进入浮置栅之间而且位于柱子图形上方的控制栅延伸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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