[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510135990.0 | 申请日： | 2005-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1822393A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 丁明镇 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，其中，可在源极/漏极区之下的应变硅层之中形成绝缘层，以基本上解决半导体器件中通道减小所产生的问题。一种用于制造半导体器件的方法，可包括：在第一硅层上生长锗层；在锗层中形成至少两条沟道；在包括沟道的锗层中形成绝缘层；通过抛光锗层和绝缘层直至在沟道的底部处共面来形成至少两个栅极绝缘层图样；重新生长和平坦化锗层；在锗层上形成第二硅层；在至少两个绝缘层之间的第二硅层上形成栅极绝缘层和栅电极；以及通过向在栅电极的侧面处的第二硅层中注入杂质离子来形成源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：应变硅衬底，其包括有序的第一硅层、锗层、和第二硅层，其中所述应变硅衬底包括有源区和场效应区；栅电极，位于所述应变硅衬底的所述有源区上；源极/漏极区，位于所述应变硅衬底之中的所述栅电极的侧面处；以及绝缘层，位于所述源极/漏极区之下的所述应变硅衬底中。
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