[发明专利]MOS型半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 200510136156.3 | 申请日： | 2005-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1794585A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 栉田桂一;平林修 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种MOS型晶体管集成电路装置，具有P沟道及N沟道MOS晶体管，且设置使前级的输出信号供给后级作为输入信号的多级连接的多个MOS型电路。所述多个MOS型电路中，从最后级看，第奇数级的MOS型电路各自的电源供给节点与电源电压VDD的供给节点之间插入第1晶体管。所述多个MOS型电路中，从最后级看，第偶数级的MOS型电路各自的电源供给节点与所述电源电压VDD的供给节点之间插入第2晶体管。控制电路进行控制，使所述多个MOS型电路为待机状态时，分别把待机状态的多个MOS型电路从待机状态恢复到有源状态时，首先使所述第2晶体管导通，接着使所述第1晶体管导通。 | ||
| 搜索关键词： | mos 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MOS型半导体集成电路装置，其特征在于，包括：至少分别具有1个P沟道及N沟道MOS晶体管，且具有各自电源供给节点，并使前级的输出信号供给后级作为输入信号的多级连接的多个MOS型电路；所述多个MOS型电路中，从最后级看，第奇数级的MOS型电路各自的电源供给节点与第1电源电压节点之间插入的第1开关元件；所述多个MOS型电路中，从最后级看，第偶数级的MOS型电路各自的电源供给节点与所述第1电源电压节点之间插入的第2开关元件；以及作为连接所述第1及第2开关元件并控制所述第1、第2开关元件的控制电路，所述控制电路分别在把成为待机状态的所述多个MOS型电路从待机状态恢复到有源状态时，首先使所述第2开关元件导通，接着使所述第1开关元件导通。
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