[发明专利]化学机械抛光设备与化学机械抛光工艺有效
| 申请号： | 200510136189.8 | 申请日： | 2005-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1986157A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 胡俊汀;谢祖怡;曾子育;郭永杰;白弘吉 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B39/06 | 分类号： | B24B39/06;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种化学机械抛光设备，此化学机械抛光设备是至少由抛光机台、第一厚度量测仪与第二厚度量测仪所构成，其中第一厚度量测仪是与抛光机台连接，而第二厚度量测仪是与抛光机台连接。由于第一厚度量测仪与第二厚度量测仪可以以原位的方式，用以量测抛光工艺后所保留下来的第一材料层与第二材料层的厚度，因此可以减少晶片之间的膜厚差异。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 设备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械抛光设备，至少包括：一抛光机台；一第一厚度量测仪，与该抛光机台连接；以及一第二厚度量测仪，与该抛光机台连接，其中该第一厚度量测仪与该第二厚度量测仪是以原位的方式，用以量测抛光工艺后所保留下来的一第一材料层与一第二材料层的厚度。
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