[发明专利]用于产生高电压的方法和电路以及相关的半导体存储器件有效
| 申请号： | 200510136190.0 | 申请日： | 2005-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1832034A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡东赫;林瀛湖 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/407 | 分类号： | G11C11/407;G11C11/417;G11C16/06;G11C5/00;G11C5/14;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 用于产生用于编程非易失性存储器的编程电压的方法包括：产生初始电压，并且响应于初始电压而产生第一斜坡变化电压。第一斜坡变化电压的斜坡变化速度比初始电压的慢。响应于第一斜坡变化电压产生第二斜坡变化电压。第二斜坡变化电压的斜坡变化速度比第一斜坡变化电压的慢。第二斜坡变化电压被输出为用于编程非易失性存储器件的编程电压。编程电压产生电路包括：编程电压产生单元，用于产生初始电压；斜坡变化电路，用于响应于初始电压产生第一斜坡变化电压；电压控制单元，用于产生具有较低波纹的第二斜坡变化电压，并响应于第一斜坡变化电压的电平而输出第一斜坡变化电压或第二斜坡变化电压。还公开了包括编程电压产生电路的半导体存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 产生 电压 方法 电路 以及 相关 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于产生高压的方法，包括：产生具有第一电压斜坡变化速度的初始电压；响应于所述初始电压而产生第一斜坡变化电压，所述第一斜坡变化电压具有比第一斜坡变化速度慢的第二斜坡变化速度；并且响应于第一斜坡变化电压而产生第二斜坡变化电压，所述第二斜坡变化电压具有比第二斜坡变化速度慢的第三斜坡变化速度。
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