[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510136195.3 | 申请日： | 2005-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1805230A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 近藤雅文;神川刚;川口佳伸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/028;H01S5/343;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。六方晶系结晶的粘合层设置在具有氮化物基III－V族化合物半导体层的氮化物激光棒的光谐振器端面上，并且端面涂膜设置在粘合层上。这样，就得到了端面涂膜设置在粘合层上的结构。本发明增加了光谐振器端面和端面涂膜之间的粘合力，从而就不需要通过控制薄膜厚度来防止pn结短路和光吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化物半导体发光元件，包括：氮化物基III-V族化合物半导体层；形成在该氮化物基III-V族化合物半导体层中的光谐振器；和形成在该光谐振器端面的端面涂膜；其中，六方晶系结晶的粘合层形成在该光谐振器的该端面和该端面涂膜之间。
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