[发明专利]CMOS半导体器件无效
| 申请号： | 200510136214.2 | 申请日： | 2005-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1812102A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 益冈有里;君塚直彦;今井清隆;岩本敏幸 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在使用相同的电源电压工作的区域中形成N型MOSFET(118)和P型MOSFET(120)时，使N型MOSFET(118)的栅绝缘膜(106a)的厚度比P型MOSFET(120)的栅绝缘膜(106b)的厚度厚。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：使用相同的电源电压工作的N型MOSFET和P型MOSFET；所述N型MOSFET具有第一栅绝缘膜；以及所述P型MOSFET具有第二栅绝缘膜，其中所述第一栅绝缘膜的膜厚度比所述第二栅绝缘膜的膜厚度厚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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