[发明专利]非易失存储器件及其多页编程、读取和复制编程的方法有效
| 申请号： | 200510136230.1 | 申请日： | 2005-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1892909A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 郑哲谟 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10;G06F12/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 吕晓章;李晓舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种NAND型闪存器件具有多面结构。页缓冲器被划分为偶数页缓冲器和奇数页缓冲器并被同时驱动。连接到一页内的偶数位线的多个单元和连接到一页内的奇数位线的单元被同时编程、读出和复制编程。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储 器件 及其 编程 读取 复制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失存储器件，包括：具有多个存储单元的单元阵列，每个存储单元被耦合到字线和位线；多个偶数页缓冲器，每个偶数页缓冲器经过偶数读出线耦合到所述位线的偶数位线；和多个奇数页缓冲器，每个奇数页缓冲器经过奇数读出线耦合到所述位线的奇数位线，其中，偶数页缓冲器和奇数页缓冲器依次接收要被编程的数据；和其中，所述数据在基本相同的时间被编程到与相同字线耦合的偶数存储单元和奇数存储单元中。
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