[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 200510136238.8 | 申请日： | 2005-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1841705A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 金忠培 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的预定区域中形成沟槽；在所述沟槽之内形成将所述器件的有源区和场区分隔开的隔离结构；以及蚀刻所述半导体衬底的暴露区域使得所述暴露区域具有弯曲表面。在本发明的一特定实施例中，执行氧化工艺以补偿蚀刻半导体衬底之后在半导体衬底的暴露区域上的损伤，并执行用于除去由氧化工艺所生长的氧化层的湿法蚀刻工艺。在本发明的一特定实施例中，该蚀刻工艺可以包括湿法或干法蚀刻工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的预定区域中形成沟槽；在所述沟槽之内形成隔离结构，所述隔离结构将所述器件的有源区和场区分隔开；以及蚀刻所述半导体衬底的暴露区域使得所述暴露区域具有弯曲表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
