[发明专利]在半导体器件中形成接触插塞的方法无效
| 申请号： | 200510136239.2 | 申请日： | 2005-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1873945A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 朴信胜 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的接触插塞的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成源极/漏极结单元设在一表面；在包括源极/漏极结单元的半导体衬底的整个表面上形成具有顶面且包括接触孔的层间绝缘膜；在接触孔中形成具有一顶面的接触插塞；利用蚀刻工艺选择性地蚀刻层间绝缘膜，使得接触插塞的顶面成为高于层间绝缘膜的顶面；以及在包括接触插塞的层间绝缘膜上形成金属层。其中，在层间绝缘膜中形成接触插塞之后，选择性地蚀刻层间绝缘膜，使得接触插塞的顶面高于层间绝缘膜的顶面。这样就有可能防止在随后于层间绝缘膜中形成金属层时产生空隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的接触插塞的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成源极/漏极结单元设在一表面；在包括所述源极/漏极结单元的所述半导体衬底的整个表面上形成具有顶面且包括接触孔的层间绝缘膜；在所述接触孔中形成具有一顶面的接触插塞；利用蚀刻工艺选择性地蚀刻所述层间绝缘膜，使得所述接触插塞的所述顶面成为高于所述层间绝缘膜的所述顶面；以及在包括所述接触插塞的所述层间绝缘膜上形成金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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