[发明专利]制造闪存器件的电介质膜的方法无效
| 申请号： | 200510136240.5 | 申请日： | 2005-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1885510A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 朱光喆 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/283;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造闪存器件的电介质膜的方法，包括步骤：提供形成有浮置栅极的半导体衬底；在减压状态下实施氧化工艺从而在所述包括浮置栅极的半导体衬底上形成第一氧化物膜的薄膜；在所述第一氧化物膜上顺序形成氮化物膜和第二氧化物膜从而形成具有第一氧化物膜、氮化物膜和第二氧化物膜的电介质膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 闪存 器件 电介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造闪存器件的电介质膜的方法，包括步骤：提供形成有浮置栅极的半导体衬底；实施在减压状态的氧化工艺从而在包括所述浮置栅极的所述半导体衬底上形成第一氧化物膜的薄膜；以及在所述第一氧化物膜上顺序形成氮化物膜和第二氧化物膜从而形成具有所述第一氧化物膜、所述氮化物膜和所述第二氧化物膜的电介质膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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