[发明专利]闪存存储器器件有效
| 申请号： | 200510136246.2 | 申请日： | 2005-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1832046A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 朴熙植;李敬馥;朴丙洙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种闪存存储器器件包括第一组伪存储单元，它们被布置在耦接到源极选择线的源极选择晶体管和耦接到第一字线的存储单元之间。所述闪存存储器器件还包括第二组伪存储单元，它们被布置在耦接到漏极选择线的漏极选择晶体管和耦接到最后字线的存储单元之间。所述闪存存储器器件被配置来防止在被取消选定的单元串中的编程干扰以及在所选择的单元串中的编程/擦除速度的变差。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 存储器 器件 | ||
【主权项】：
1.一种闪存存储器器件，包括：第一选择晶体管，耦接到位线；第二选择晶体管，耦接到公共源极线；多个存储单元，耦接在所述第一和第二选择晶体管之间，每个存储单元耦接到字线；以及伪存储单元，它被提供在存储单元之一和第二选择晶体管之间。
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