[发明专利]用于浸渍光刻的聚合物、含有它的光致抗蚀剂组合物、制备半导体器件的方法及半导体器件无效
| 申请号： | 200510136300.3 | 申请日： | 2005-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1873532A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 郑载昌;卜喆圭;林昌文;文承灿 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种包含由式1所示重复单元的用于浸渍光刻的聚合物，及含有该聚合物的光致抗蚀剂组合物。由本发明的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂薄膜是高度抗溶解的，即防止光酸发生剂溶解于浸渍光刻的水溶液中，从而防止曝光导致的曝光透镜污染和光致抗蚀剂图案的变形。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 浸渍 光刻 聚合物 含有 光致抗蚀剂 组合 制备 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包含式1所示的重复单元的光酸产生聚合物：[式1]式中X1为C1-C10亚烷基、硫或氧；及A为光酸产生基团。
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