[发明专利]双载流子硅控整流器电路以及其形成方法有效
| 申请号： | 200510136573.8 | 申请日： | 2005-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1825623A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 游国丰;李建兴;施教仁;杨富智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72;H01L27/02;H01L23/60;H01L21/331;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种双载流子硅控整流器电路以及其形成方法，用于静电放电防护。此硅控整流器电路包括一双载流子装置，形成于一半导体基板上。此双载流子装置包括至少一N型阱以及一P+材料。N型阱用以提供较高的电阻，而P+材料则作为一集电极，以提供一高电阻。至少一N型防护环以及一P型防护环围绕于双载流子装置，其中，当一静电放电事件发生时，双载流子装置的N型阱以及P+材料所提供的高电阻会提高导通速率。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 整流器 电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双载流子硅控整流器电路，用于静电放电防护，其特征在于，该双载流子硅控整流器电路包括：一N型阱，形成于一半导体基板上；一P+集电极区，直接形成与该N型阱接触；一基极区，形成于该N型阱上，且与该集电极区分隔；以及一射极区，形成于该基极区上方；其中，当一静电放电事件发生时，该N型阱及该P+集电极区提供一高阻抗路径，以导通该双载流子硅控整流器电路。
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